SINプレーン基板紹介

製品の特長

窒化ケイ素セラミックス基板は、優れた放熱特性と高い強度を兼ね備えています。
パワー半導体モジュール、インバーター、コンバーターなど幅広いエレクトロニクス用途に採用され、従来の絶縁材を置き換えることで製品の高出力化、小型化、軽量化を実現します。
さらに、その際立った強度により、アプリケーションの長寿命化や高い信頼性の確保に貢献する重要素材です。


<SIN プレーン基板イメージ>

特性代表値

項目
測定方法
単位
窒化ケイ素(Si3N4)
TSN-90
密度
JIS Z8807
常温g/cm3
3.35
比熱
JIS C2141

J/kg・K
650
熱伝導率
JIS R1611

W/m・K
90
熱膨張係数
JIS C2141
常温~500℃
x10-6/K
3.4
絶縁耐力
JIS C2110-1
50Hz
kV/mm
25.0
体積固有抵抗
JIS C2141
常温
Ω・cm
1x1015
比誘電率
JIS C2141
1MHz

8.0
誘電損失
JIS C2141
1MHz
tanδx10-4
8.0
3点曲げ強度
JIS C2141
常温
MPa
680
破壊靭性値
JIS R1607
常温
MPa・m1/2
6.5
ヤング率
JIS R1602
常温
GPa
300
ポアソン比
JIS R1602


0.27
特長
高熱伝導
高強度
主な推奨用途
半導体実装用基板
(圧接用)放熱板
ヒートシンク

*上表の値は参考値であり、保証値ではありません。
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製品仕様 (標準デザイン)

窒化ケイ素セラミックス 白板(プレーン基板)製品仕様
項目単位窒化ケイ素(SiN)
TSN-90
外形寸法
mm
MAX 170×130
公差
±0.15mm(レーザーカット)
厚さmm0.32
公差
±0.05mm
反りmm0.4%以下(≦50mmスパン)
表面加工

ブラスト加工

*表の値は参考値であり、保証値ではありません。また、外形寸法、厚さに関してご希望がある場合は、 
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